一种烷基芳烃α-卤化方法，特别是基于纳米贵金属/半导体表面等离子体复合材料作为光催化剂，在太阳光或300W氙灯光照下直接使卤离子转变为卤游离基，并引发卤化反应，使烷基芳烃α-碳上的H被选择性卤代。该方法是以卤离子代替卤单质直接实现烷基芳烃的卤化，是一种新型、环保、高选择性、低能耗的卤化反应方法。

本发明的方法在室温常压下即可实施，其中，取代反应在非均相条件下进行，水相可重复使用，取代反应无需加热，只需要有可见光照射（包括阳光）就能在常温下进行。本发明的方法，所得到的卤代产物中，主要是为α-单卤代的产物，单卤取代的选择性高于95%。因此，本发明具有成本低，设备简单易操作，且产物选择性高，可大规模生产，在工业生产方面具有重要的潜在应用。本发明在非均相体系中，以溶解在水相中的无机卤化物为卤源，用纳米贵金属/半导体表面等离子体复合材料光催化剂，在可见光或阳光照射下直接引发卤化反应，实现了对烷基芳烃α-H选择性取代卤化。这是一种新型、环保、高选择性、低能耗的有机物卤化的全新、可行的绿色途径。