成果名称：	一种并联MOSFET的高频电路驱动电路	关键字：		应用行业：
高新技术领域：		所在地：		知识产权类型：	实用新型
知识产权编号：	ZL202120523289	成果体现形式：		成果属性：
成果所处阶段：		成果水平：	国内先进	研究形式：
学科分类：		战略新兴产业：		课题来源：
第一完成单位名称：	华北电力大学（保定）	第一完成单位属性：		技术成熟度：
合作方式：	专利许可	交易价格(万)：	7.00	所属十强产业：

本实用新型公开了一种并联MOSFET的高频电路驱动电路，所述驱动电路包括：驱动信号产生模块、脉冲隔离模块和脉冲处理模块；所述驱动信号产生模块的输出端与所述脉冲隔离模块的输入端连接，驱动信号产生模块用于产生方向相反、幅值相等且同时带死区的两路高频驱动信号，并输出给所述脉冲隔离模块；脉冲隔离模块的输出端与脉冲处理模块的输入端连接，脉冲处理模块的输出端连接并联连接的多个MOSFET的栅极。本实用新型采用脉冲隔离模块和脉冲处理模块实现并联连接的多个MOSFET的驱动，无需直插电容，克服了直插电容的驱动电路在进行大功率的多个并联MOSFET的高频驱动时会产生较大的开关损耗的技术缺陷，减少了大功率的多个并联MOSFET的高频驱动时的开关损耗。