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确定交直流复合激励下导磁构件杂散损耗的方法

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成果名称: 确定交直流复合激励下导磁构件杂散损耗的方法 关键字: 应用行业:
高新技术领域: 所在地: 知识产权类型: 发明专利
知识产权编号: ZL202011558240 成果体现形式: 成果属性:
成果所处阶段: 成果水平: 国内领先 研究形式:
学科分类: 战略新兴产业: 课题来源:
第一完成单位名称: 华北电力大学(保定) 第一完成单位属性: 技术成熟度:
合作方式: 专利许可 交易价格(万): 4.00 所属十强产业:
本发明公开了一种确定交直流复合激励下导磁构件杂散损耗的方法,包括:S1、在实验条件下分别得到激励线圈在空/负载工况下的总损耗,并由所述总损耗得到所述激励线圈在空/负载下的损耗差值;S2、获取所述激励线圈在空/负载工况下的涡流损耗修正系数;S3、通过所述涡流损耗修正系数修正所述激励线圈在空载工况下的涡流损耗;S4、由所述损耗差值与所述涡流损耗间的差值得到杂散损耗。其基于空负载工况下激励线圈的损耗差异,通过引入仿真涡流损耗修正系数,恰当地考虑了涡流损耗在负载和空载条件下的变化,有效提高了大型电力变压器的杂散损耗评估的准确性。
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