成果名称：	一种硅锗热电材料的制备方法	关键字：		应用行业：
高新技术领域：		所在地：		知识产权类型：	发明专利
知识产权编号：	ZL201911014110	成果体现形式：		成果属性：
成果所处阶段：		成果水平：	国内领先	研究形式：
学科分类：		战略新兴产业：		课题来源：
第一完成单位名称：	华北电力大学（保定）	第一完成单位属性：		技术成熟度：
合作方式：	专利许可	交易价格(万)：	4.00	所属十强产业：

本发明公开了一种硅锗热电材料的制备方法，包括：A.在清洁的锗基板进行表面氧化，形成超薄GeO2薄膜层；B.硅以离子束的形式冲击超薄GeO2薄膜层的上表面，产生化学反应：Si+GeO2→SiO↑+GeO↑；在超薄GeO2薄膜层上形成微型阵列孔；C.通过电沉积的方法，沉积7～11层硅原子在设置有微型阵列孔的超薄GeO2薄膜层，电沉积的硅足以填平微型阵列孔；D.硅继续通过电沉积的方法，沉积26～66层硅原子在设置有微型阵列孔的超薄GeO2薄膜层，继续沉积的硅原子被困在微型阵列孔的中，导致了球形纳米晶体的形成，继续沉积，球形纳米晶体长大，形成纳米硅球层；重复上述步骤形成多层超薄GeO2薄膜层和纳米硅球层的复合层，获得硅锗热电材料；上述工艺简单、结构稳定性好。