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一种高带宽的单行载流子光电二极管

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成果名称：	一种高带宽的单行载流子光电二极管	关键字：	吸收 , xgaxasyp1 , 缓冲层 , 掺杂 , utc , 禁带宽度 , 禁带 , in1 , 载流子 , 缓冲	应用行业：	信息传输软件和信息技术
高新技术领域：	电子信息技术	所在地：	北京市	知识产权类型：	发明专利
知识产权编号：	CN202211459094.X	成果体现形式：		成果属性：
成果所处阶段：	授权	成果水平：	国内领先	研究形式：
学科分类：		战略新兴产业：	新一代信息技术	课题来源：
第一完成单位名称：	北京邮电大学	第一完成单位属性：		技术成熟度：
合作方式：	技术转让	交易价格(万)：	7.00	所属十强产业：

本发明公开了一种高带宽的单行载流子光电二极管，属于太赫兹通信领域；具体是：以现有光电二极管UTC‑PD为基础，通过工艺生长在吸收层引入线性掺杂，从靠近阻挡层的一端到靠近缓冲层的另一端，掺杂浓度从2e18/cm^3到2e17/cm^3的范围内呈线性变化，进而在其引入内建电场，加速电子通过吸收层；同时，在吸收层材料与收集层材料之间通过外延生长，改变缓冲层材料In1‑xGaxAsyP1‑y中的组分x与组分y，加速电子通过缓冲层；本发明使传统UTC‑PD的结构得到优化，减少电子从吸收层渡越到收集层的时间，同时提高了器件的3dB带宽。