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深紫外LED芯片、深紫外LED外延片及其制备方法

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成果名称：	深紫外LED芯片、深紫外LED外延片及其制备方法	关键字：	algan , al0 , 5ga0 , 15ga0 , 85n , led , 紫外 , 外延 , 5n , 渐变	应用行业：	制造业
高新技术领域：	先进制造技术	所在地：	广东省	知识产权类型：	发明专利
知识产权编号：	CN201811527141.3	成果体现形式：		成果属性：
成果所处阶段：	授权	成果水平：	国内先进	研究形式：
学科分类：		战略新兴产业：	高端装备制造	课题来源：
第一完成单位名称：	广东工业大学	第一完成单位属性：		技术成熟度：
合作方式：	技术转让	交易价格(万)：	2.00	所属十强产业：

本发明公开了一种深紫外LED芯片、深紫外LED外延片及其制备方法，其中，制备方法包括：在衬底上生长AlGaN缓冲层，并在AlGaN缓冲层上生长N型AlGaN层；在N型AlGaN层上生长Al组分渐变的N型AlGaN层，并在Al组分渐变的N型AlGaN层上生长Al0.5Ga0.5N/Al0.15Ga0.85N有源区；在Al0.5Ga0.5N/Al0.15Ga0.85N有源区上生长AlGaN阻挡层，并在AlGaN阻挡层上生长P型GaN层。本申请公开的上述技术方案，由于生长Al组分渐变的N型AlGaN层在生长有源区之前，因此，则不会引起有源区能带结构发生变化，从而可以提高深紫外LED芯片的发光效率。