本发明公开了一种发光二极管，所述发光二极管包括本征GaN层，所述本征GaN层具有孔隙，空气可在所述孔隙中自由流通。本发明通过在发光二极管的本征GaN层制造空气可自由流通的孔隙，利用空气的流动性将元件在工作时产生的热量自然而然带出元件，对比现有技术，本发明中的导热介质(即空气)与LED元件的发热部分直接接触，大大提升了散热效率，使元件内部热应力分布更均匀，延长了LED寿命，同时，量子阱结构内电子和空穴辐射复合效率会得到提高，即元件的发光效率上升，同时，本发明直接改进LED的外延层结构达到散热的目的，不需要后期在外部添加新的散热结构，降低了生产成本。本发明同时提供了一种具有上述有益效果的发光二极管的制作方法。