本发明公开了一种LED芯片、LED外延片及其制备方法，其中，LED外延片可以包括金属衬底、设置在金属衬底表面的GaN成核层、设置在GaN成核层表面的N型GaN层、设置在N型GaN层表面的多量子阱层、设置在多量子阱层表面的GaN阻挡层、设置在GaN阻挡层表面的P型GaN层。本申请公开的上述技术方案，直接利用金属衬底作为LED外延片的衬底，由于整个金属衬底都可以导电，因此，则可以对N型GaN层的电流实现扩展，以使电流均匀分布，从而可以提高内量子效率。另外，由于可以直接在金属衬底上设置电极，因此，则可以不再需要通过刻蚀来在N型GaN层上制备电极，从而可以增大LED外延片的有效发光区域。