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一种垂直结构的发光二极管

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成果名称：	一种垂直结构的发光二极管	关键字：	gan , 缓冲层 , 衬底 , 发光二极管 , 发光 , 二极管 , 外延 , 导电 , 凹槽 , 缓冲	应用行业：	制造业
高新技术领域：	先进制造技术	所在地：	广东省	知识产权类型：	发明专利
知识产权编号：	CN201711294960.3	成果体现形式：		成果属性：
成果所处阶段：	授权	成果水平：	国内领先	研究形式：
学科分类：		战略新兴产业：	高端装备制造	课题来源：
第一完成单位名称：	广东工业大学	第一完成单位属性：		技术成熟度：
合作方式：	技术转让	交易价格(万)：	5.00	所属十强产业：

本发明公开了一种垂直结构的发光二极管，该发光二极管包括：衬底；设置在衬底上的第一缓冲层、第二缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱结构层、电子屏蔽层、p型GaN层、透明导电薄膜层；贯穿透明导电薄膜层、p型GaN层、电子屏蔽层、多量子阱结构层、n型GaN层，直至暴露出未掺杂GaN层的第一凹槽，第一凹槽的第一表面与衬底成预设角度，第一凹槽的第二表面与所述衬底垂直；沿着第一表面贯穿未掺杂GaN层、第二缓冲层、第一缓冲层、衬底的通孔；设置在第一表面以及通孔上的反光层、绝缘层、第一金属导电层；贯穿衬底、第一缓冲层、第二缓冲层，直至暴露出n型GaN层的第二凹槽。该发光二极管满足大功率照明要求。