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一种实现短波长紫外LED的外延结构

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成果名称：	一种实现短波长紫外LED的外延结构	关键字：	algan , gan , 量子 , 生长 , 掺杂 , 渐变 , led , 紫外 , al0 , 厚度	应用行业：	制造业
高新技术领域：	先进制造技术	所在地：	广东省	知识产权类型：	发明专利
知识产权编号：	CN201710170540.8	成果体现形式：		成果属性：
成果所处阶段：	授权	成果水平：	国内领先	研究形式：
学科分类：		战略新兴产业：	高端装备制造	课题来源：
第一完成单位名称：	广东工业大学	第一完成单位属性：		技术成熟度：
合作方式：	技术转让	交易价格(万)：	5.00	所属十强产业：

本发明公开了一种实现短波长紫外LED的外延结构，所述外延结构自下而上包括依次设置的衬底、GaN缓冲层、未掺杂的GaN层、掺杂N型GaN层、多量子阱AlGaN/GaN层、P型AlGaN电子阻挡层、渐变P型AlGaN层和P型GaN层，所述衬底为蓝宝石衬底，所述GaN缓冲层的厚度为20～25nm，生长温度为530‑550℃，并在1030‑1080℃恒温6‑8分钟使GaN缓冲层重结晶，所述未掺杂的GaN层的厚度为2.0～2.5μm，生长温度为1030‑1080℃，所述掺杂N型GaN层的厚度为2.5‑3μm，生长温度为1030‑1080℃。本发明采用渐变P型AlGaN层，能减少极化效应，削弱电子阻挡层EBL到P型层之间的能带弯曲，使得红移现象得到改善，呈现更短的发光波长，发光强度也随之增大。