本申请公开了一种紫外LED芯片及其制备方法，其中，紫外LED芯片的第一衬底的第二表面设置紫外发光二极管，紫外发光二极管的外延结构的一端首先经过刻蚀处理后形成凹凸台面，基于所述凹凸台面继续向第一衬底一侧刻蚀形成凹槽，PN结结构中的N型电极通过设置于凹槽中的内部接触层与紫外发光二极管中的P型电极电连接，同时PN结结构中的P型电极通过外部电极结构与紫外发光二极管中的N型电极电连接，从而实现了PN结结构和紫外发光二极管的反向并联连接，进而为紫外发光二极管提供了一条静电释放的通道，使得紫外LED芯片免受反向电压或者静电放电危害的影响，同时还增大了紫外LED芯片的正向电压和抗静电打击强度。