一种提高紫外LED光输出功率的外延结构-购物商城-保定市知识产权运营与公共信息服务平台

客服热线：19932581850

免费查询

一站式服务

首页政策法规知产运营专利转化企业信息地理标志第三方服务一网通办信息服务

一种提高紫外LED光输出功率的外延结构

我有意向

次浏览

详细信息
成果简介
成果亮点
前景分析

成果名称：	一种提高紫外LED光输出功率的外延结构	关键字：	gan , 掺杂 , al0 , algan , 生长 , led , 阻挡 , 量子 , ebl , 紫外	应用行业：	制造业
高新技术领域：	先进制造技术	所在地：	广东省	知识产权类型：	发明专利
知识产权编号：	CN201710171254.3	成果体现形式：		成果属性：
成果所处阶段：	授权	成果水平：	国内领先	研究形式：
学科分类：		战略新兴产业：	请选择...	课题来源：
第一完成单位名称：	广东工业大学	第一完成单位属性：		技术成熟度：
合作方式：	技术转让	交易价格(万)：	5.00	所属十强产业：

本发明公开了一种提高紫外LED光输出功率的外延结构，所述外延结构自下而上包括依次设置的衬底，GaN缓冲层，未掺杂的GaN层，掺杂N型GaN层，AlGaN/GaN多量子阱结构，插入层，电子阻挡层EBL，P型GaN层，所述衬底采用蓝宝石衬底，所述GaN缓冲层厚度为20‑25nm，生长温度为530‑550℃，并在1050℃恒温6分钟使GaN缓冲层重结晶，所述未掺杂的GaN层厚度为2.0‑2.5μm，生长温度为1050℃，所述掺杂N型GaN层的厚度为2.5‑3.0μm，其中Si掺杂浓度为5x1018cm‑3，生长温度为1050℃，所述多量子阱AlGaN/GaN结构由多量子阱AlGaN层和多量子阱GaN层按6个周期的交替生长而成。本发明通过提高紫外LED芯片的晶体质量，优化电子阻挡层的电子阻挡效果，减少电子泄露，从而改善紫外LED器件的效率下降，提高光输出功率。