本发明提供了一种固态电解质忆阻器及其制备方法和应用，所述忆阻器自下而上依次包括作为底电极的衬底、Ga2O3转换层、C量子点层以及上电极层，所述C量子点层的厚度为10~100nm。所述C量子点层的制备过程为：将C溶液滴在衬底上，使C溶液自动扩展并覆盖整个衬底表面，然后将衬底在大气环境下80~120℃退火处理10~50min，即得到C量子点层。本发明提供的忆阻器添加了C量子点，并且形成C导电细丝。获得了良好的器件性能，并且实现了模拟生物联想学习的功能，其结构独特，性能表现良好，应用前景广阔。