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硅基分子束异质外延生长材料的制备方法及忆阻器和应用

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成果名称：	硅基分子束异质外延生长材料的制备方法及忆阻器和应用	关键字：	外延 , srtio3 , 生长 , 衬底 , 压强 , ceo2 , 异质 , 靶材 , 样品 , 激光	应用行业：	计算机、通信和其他电子设备制造业
高新技术领域：	计算机硬件	所在地：	河北省	知识产权类型：	发明专利
知识产权编号：	CN202111074604.7	成果体现形式：		成果属性：
成果所处阶段：	授权	成果水平：	国内领先	研究形式：
学科分类：		战略新兴产业：	新材料	课题来源：
第一完成单位名称：	河北大学	第一完成单位属性：		技术成熟度：
合作方式：	技术转让	交易价格(万)：	3.00	所属十强产业：

本发明提供了一种硅基分子束异质外延生长材料的制备方法及忆阻器和应用，所述外延生长材料的结构是在P型Si衬底上依次生长SrTiO3层、La0.67Sr0.33MnO3层、（BaTiO3)0.5‑(CeO2)0.5层；硅基外延生长结构是在特定温度和特定氧压的情况下，依次生长第一层SrTiO3层、第二层La0.67Sr0.33MnO3层、第三层BaTiO3与CeO2原子比为0.5∶0.5的（BaTiO3)0.5‑(CeO2)0.5层。本发明所提供的硅基分子束异质外延生长方法使用激光脉冲沉积法，方法比较简单，容易控制，第一层SrTiO3缓冲层的厚度可达到40nm，并实现了忆阻器功能及仿神经特性。