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一种金刚石晶片抛光的材料去除率计算方法及系统
成果名称: | 一种金刚石晶片抛光的材料去除率计算方法及系统 | 关键字: | 刚石 , 金刚石 , 划痕 , 晶片 , 抛光 , 工件 , 主轴 , 紫外光 , 工具 , 紫外 | 应用行业: | 专用设备制造业 |
高新技术领域: | 电子信息技术 | 所在地: | 广东省 | 知识产权类型: | 发明专利 |
知识产权编号: | CN202110930698.7 | 成果体现形式: | 成果属性: | ||
成果所处阶段: | 授权 | 成果水平: | 国内一般 | 研究形式: | |
学科分类: | 战略新兴产业: | 高端装备制造 | 课题来源: | ||
第一完成单位名称: | 广东工业大学 | 第一完成单位属性: | 技术成熟度: | ||
合作方式: | 技术转让 | 交易价格(万): | 0.60 | 所属十强产业: |
本发明涉及金刚石抛光技术领域,公开了一种金刚石晶片抛光的材料去除率计算方法,包括:S1、在未抛光的金刚石晶片的表面加工划痕;S2、测量划痕的深度h0;S3、对金刚石晶片具有划痕的表面进行抛光,记录抛光所用的时间t;S4、测量金刚石晶片抛光后的划痕的深度h;S5、根据MRR=(h0‑h)/t计算材料去除率MRR。由于金刚石的硬度极大,抛光加工MRR极低,难于快速准确的计算,本发明采用的材料去除率计算方法中,利用表面轮廓仪测量金刚石抛光前后表面划痕深度变化。其测量直观方便,且测量结果准性高、精度高,进而使抛光加工时微小材料去除率的计算准确性高,便于金刚石晶片抛光方法优劣的评价。本发明还提供一种实现上述方法的金刚石晶片抛光的材料去除率计算系统。
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史会宁
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