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一种用于半导体晶片化学机械抛光的磁流变弹性抛光垫、制备方法及其应用
成果名称: | 一种用于半导体晶片化学机械抛光的磁流变弹性抛光垫、制备方法及其应用 | 关键字: | 抛光 , 磁流变 , 流变 , fe3o4 , cip , 晶片 , 弹性 , 聚氨酯 , mre , 磁性 | 应用行业: | 电气机械和器材制造业 |
高新技术领域: | 先进制造技术 | 所在地: | 广东省 | 知识产权类型: | 发明专利 |
知识产权编号: | CN202310946782.7 | 成果体现形式: | 成果属性: | ||
成果所处阶段: | 授权 | 成果水平: | 国内先进 | 研究形式: | |
学科分类: | 战略新兴产业: | 高端装备制造 | 课题来源: | ||
第一完成单位名称: | 广东工业大学 | 第一完成单位属性: | 技术成熟度: | ||
合作方式: | 技术转让 | 交易价格(万): | 20.00 | 所属十强产业: |
本发明是一种适用于半导体晶片化学机械抛光的磁流变弹性抛光垫,该抛光垫同时实现高效磁控抛光、高效芬顿反应,通过有机硅改性聚氨酯预聚体形成有机硅‑聚氨酯基体,结合了有机硅柔软、耐水解、耐酸碱腐蚀性和聚氨酯优异的物理机械性能的特点,具有高柔性、优异的综合力学性能。抛光垫中的CIP@Fe3O4复合磁性颗粒,可以使磁流变弹性抛光垫表现出高磁流变效应,该颗粒表面的纳米级Fe3O4具有比表面积大、催化活性高,可以实现高效芬顿反应,产生的·OH可以氧化半导体晶片表面生成硬度较低、结合力较小的氧化层,降低了磨料和抛光垫机械作用下的材料去除难度,可以实现高效材料去除、获得高质量表面。
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史会宁
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