本发明提供的磁流变弹性金属接触腐蚀抛光垫，能够通过外加磁场控制抛光垫的硬度实现控制抛光垫中的金属在电解质溶液中对SiC晶片的化学腐蚀作用，本申请将金属粉末固结在抛光垫中，金属粉末颗粒在不具有腐蚀性的电解质溶液中能对SiC晶片表面发生接触腐蚀，极强氧化性的空穴将SiC表面氧化成硬度较低、结合力较小的SiO2氧化层，然后在磨料的机械作用下实现对SiC晶片表面的高效材料去除。通过调节抛光垫中的磨料对SiC表面腐蚀层的机械去除，实现化学机械作用平衡的高效材料去除、获得高质量SiC晶片表面。