本发明属于半导体器件领域，公开了通过掺杂提升MXene异质结光电探测器性能的方法，该探测器是通过n型半导体与MXene薄膜构成的异质结实现光电探测，通过采用MoO3对MXene薄膜进行掺杂，增大MXene的功函数，从而与n型半导体产生更大的势垒差，增强异质结的内建电场，实现光生载流子的高效分离和传输，提升光电探测器的性能。本发明获得的MXene‑MoO3薄膜/n型半导体异质结光电探测器，既可以利用半导体对可见光‑近红外光的高吸收率，又可以结合二维材料MXene薄膜高导电性，并结合MoO3掺杂对MXene功函数的调节，从而提升了对探测光的吸收效率以及光生载流子的分离和传输效率。