本发明涉及一种电子封装用高致密/高导热AlN陶瓷及其制备方法，属于无机非金属材料与特种材料制备领域。采用AlN粉体、改性纳米AlN粉末、改性Sm2O3粉末、TiO2粉末、炭黑粉末和单层碳纳米管制备高致密/高导热AlN陶瓷；本发明的烧结温度控制在1600℃，能耗低，不使用任何粘结剂，免去排胶等耗时步骤，保温时间短，生产效率大幅提高；所制备的AlN陶瓷晶体中晶界面显著减少，致密度大幅提高，导热性能表现优异，热导率值高达250～270W/m.K。