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提高单室沉积微晶硅基薄膜太阳电池效率的制备方法
成果名称: | 提高单室沉积微晶硅基薄膜太阳电池效率的制备方法 | 关键字: | 微晶 , 太阳电池 , 电池 , 沉积 , 纳米 , 晶化 , 太阳 , 薄膜 , 辉光 , 界面 | 应用行业: | 制造业 |
高新技术领域: | 先进制造技术 | 所在地: | 天津市 | 知识产权类型: | 发明专利 |
知识产权编号: | CN200910069034.5 | 成果体现形式: | 成果属性: | ||
成果所处阶段: | 授权 | 成果水平: | 国内先进 | 研究形式: | |
学科分类: | 战略新兴产业: | 高端装备制造 | 课题来源: | ||
第一完成单位名称: | 南开大学 | 第一完成单位属性: | 技术成熟度: | ||
合作方式: | 技术转让 | 交易价格(万): | 3.00 | 所属十强产业: |
一种提高单室沉积微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池效率的制备方法。本发明在传统的微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池的p/i界面引入高晶化率的界面层来实现降低硼污染的影响,进而提高单室沉积微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池的光电转换效率。电池的类型针对本征i层而言,即包括微晶硅基(微晶硅、微晶硅锗、微晶硅碳或微晶硅氧等)、也包括纳米硅基(纳米硅、纳米硅锗、纳米硅碳或纳米硅氧等)的薄膜太阳电池。此微晶硅基(纳米硅基)电池的类型即包括单结微晶硅基(纳米硅基)电池,也适用于由其构成的双结或三结叠层太阳电池。该方法不需增加新的设备改造投资成本,又降低了污染,同时有效提高电池效率。
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