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提高单室沉积微晶硅基薄膜太阳电池效率的制备方法

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成果名称：	提高单室沉积微晶硅基薄膜太阳电池效率的制备方法	关键字：	微晶 , 太阳电池 , 电池 , 沉积 , 纳米 , 晶化 , 太阳 , 薄膜 , 辉光 , 界面	应用行业：	制造业
高新技术领域：	先进制造技术	所在地：	天津市	知识产权类型：	发明专利
知识产权编号：	CN200910069034.5	成果体现形式：		成果属性：
成果所处阶段：	授权	成果水平：	国内先进	研究形式：
学科分类：		战略新兴产业：	高端装备制造	课题来源：
第一完成单位名称：	南开大学	第一完成单位属性：		技术成熟度：
合作方式：	技术转让	交易价格(万)：	3.00	所属十强产业：

一种提高单室沉积微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池效率的制备方法。本发明在传统的微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池的p/i界面引入高晶化率的界面层来实现降低硼污染的影响，进而提高单室沉积微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池的光电转换效率。电池的类型针对本征i层而言，即包括微晶硅基(微晶硅、微晶硅锗、微晶硅碳或微晶硅氧等)、也包括纳米硅基(纳米硅、纳米硅锗、纳米硅碳或纳米硅氧等)的薄膜太阳电池。此微晶硅基(纳米硅基)电池的类型即包括单结微晶硅基(纳米硅基)电池，也适用于由其构成的双结或三结叠层太阳电池。该方法不需增加新的设备改造投资成本，又降低了污染，同时有效提高电池效率。