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提高单室沉积微晶硅基薄膜太阳电池效率的制备方法

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成果名称: 提高单室沉积微晶硅基薄膜太阳电池效率的制备方法 关键字: 微晶 , 太阳电池 , 电池 , 沉积 , 纳米 , 晶化 , 太阳 , 薄膜 , 辉光 , 界面 应用行业: 制造业
高新技术领域: 先进制造技术 所在地: 天津市 知识产权类型: 发明专利
知识产权编号: CN200910069034.5 成果体现形式: 成果属性:
成果所处阶段: 授权 成果水平: 国内先进 研究形式:
学科分类: 战略新兴产业: 高端装备制造 课题来源:
第一完成单位名称: 南开大学 第一完成单位属性: 技术成熟度:
合作方式: 技术转让 交易价格(万): 3.00 所属十强产业:

一种提高单室沉积微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池效率的制备方法。本发明在传统的微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池的p/i界面引入高晶化率的界面层来实现降低硼污染的影响,进而提高单室沉积微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池的光电转换效率。电池的类型针对本征i层而言,即包括微晶硅基(微晶硅、微晶硅锗、微晶硅碳或微晶硅氧等)、也包括纳米硅基(纳米硅、纳米硅锗、纳米硅碳或纳米硅氧等)的薄膜太阳电池。此微晶硅基(纳米硅基)电池的类型即包括单结微晶硅基(纳米硅基)电池,也适用于由其构成的双结或三结叠层太阳电池。该方法不需增加新的设备改造投资成本,又降低了污染,同时有效提高电池效率。

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