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基于相场模型下控制Ag2Ga纳米针长径比的研究方法

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成果名称: 基于相场模型下控制Ag2Ga纳米针长径比的研究方法 关键字: ag2ga , 纳米 , 微粒 , ga , ag , 模型 , 方程 , 拔出 , 模拟 , 能量 应用行业: 制造业
高新技术领域: 先进制造技术 所在地: 浙江省 知识产权类型: 发明专利
知识产权编号: CN201610361529.5 成果体现形式: 成果属性:
成果所处阶段: 授权 成果水平: 国内先进 研究形式:
学科分类: 战略新兴产业: 高端装备制造 课题来源:
第一完成单位名称: 杭州电子科技大学 第一完成单位属性: 技术成熟度:
合作方式: 技术转让 交易价格(万): 6.00 所属十强产业:

本发明公开了基于相场模型下控制Ag2Ga纳米针长径比的研究方法,按如下步骤进行:一、建立Ag2Ga纳米针的三维计算模型;二、改变实验反应条件以及模拟时间来揭示纳米针长径比变化规律;在室温下,Ag微粒和液态Ga微粒之间会发生扩散形成Ag2Ga微粒,此时对其一端施加一个力拔出,形成Ag2Ga纳米针;在此过程中,实验反应的条件以及模拟时间都是影响Ag2Ga纳米针长径比的关键因素;进行如下操作:操作一:探究不同微粒浓度对Ag2Ga纳米针长径比变化的影响;操作二:探究不同模拟时间对Ag2Ga纳米针长径比变化的影响;操作三:探究不同拔出速度对Ag2Ga纳米针长径比变化的影响。

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