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一种带有深N阱的NP型CMOS雪崩光电二极管

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成果名称：	一种带有深N阱的NP型CMOS雪崩光电二极管	关键字：	apd , 雪崩 , np , 载流子 , 衬底 , cmos , 器件 , 掺杂 , 光生载流子 , pn	应用行业：	制造业
高新技术领域：	先进制造技术	所在地：	重庆市	知识产权类型：	发明专利
知识产权编号：	CN201410122853.2	成果体现形式：		成果属性：
成果所处阶段：	授权	成果水平：	国内领先	研究形式：
学科分类：		战略新兴产业：	高端装备制造	课题来源：
第一完成单位名称：	重庆邮电大学	第一完成单位属性：		技术成熟度：
合作方式：	技术转让	交易价格(万)：	6.00	所属十强产业：

本发明公开了一种带有深N阱的NP型CMOS雪崩光电二极管，包括P型衬底、设置于P型衬底上的N阱层及雪崩区，所述雪崩区设置于所述P型衬底和N阱之间构成PN结，在P型衬底和雪崩区之间还设置有光吸收层，所述光吸收层为设置于P型衬底层上的深N阱，所述深N阱的掺杂浓度大于P型衬底层的掺杂浓度；本发明提高了雪崩光电二极管器件的速率、频率响应和带宽。