本发明提供了一种可模拟神经突触的聚合物/量子点薄膜忆阻器，所述忆阻器包括从下至上依次设置的导电基底(1)、聚合物薄膜层(2)、碳基量子点层(3)、半导体量子点层(4)以及顶电极(5)。本发明所述的忆阻器结构在电场循环扫描下阻态持续变化，可以实现对神经突触的学习与记忆功能的模拟如长时程增强效应(LTP)和长时程抑制效应(LTD)。本发明所制备的阻变层均为溶液旋涂所得，可在柔性衬底上制备，应用可穿戴电子产品领域。器件具有尺寸小、结构简单、可集成芯片、功耗低的优点，可模仿人脑神经突触处理和学习工作行为，应用于新型微电子仿生单元，提高计算机的速度和并行处理能力。