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清洗硅片刻蚀腔室的方法

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成果简介
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前景分析

成果名称：	清洗硅片刻蚀腔室的方法	关键字：	500sccm , 氧气 , 片刻 , 清洗 , 气体 , 工艺 , 流量 , 离子	应用行业：	制造业
高新技术领域：	先进制造技术	所在地：	北京市	知识产权类型：	发明专利
知识产权编号：	CN200610165562.7	成果体现形式：		成果属性：
成果所处阶段：	授权	成果水平：	国内先进	研究形式：
学科分类：		战略新兴产业：	高端装备制造	课题来源：
第一完成单位名称：	北京北方华创微电子装备有限公司	第一完成单位属性：		技术成熟度：
合作方式：	专利许可	交易价格(万)：	6.00	所属十强产业：

本发明公开了一种清洗硅片刻蚀腔室的方法，首先向刻蚀腔室中通入含氟气体和氧气，对刻蚀腔室中含硅的刻蚀副产物及颗粒进行清洗；然后向刻蚀腔室中通入氯气和氧气，对刻蚀腔室中含碳的刻蚀副产物及颗粒进行清洗。含氟气体主要包括SF6及NF3。能有效清除刻蚀腔室内的硅片刻蚀副产物及颗粒，主要用于清洗半导体硅片加工设备的刻蚀腔室。