本发明公开了一种抗软失效存储单元以及锁存器和触发器，所述一种抗软失效存储单元包括抗软失效电路，所述抗软失效电路的交叉耦合下拉NMOS管以及下拉保持NMOS管均各自串联一个NMOS管；所述一种抗软失效存储单元还包括反相器，所述交叉耦合下拉NMOS管的漏极均通过一所述反相器连接到与所述下拉保持NMOS管串联的NMOS管的栅极。本发明的种抗软失效存储单元以及锁存器和触发器在较低的延迟和功耗损失情况下，能够有效提高时序电路的抗软失效能力，在软失效问题日益显著的今天，具有重要应用价值和实际意义。