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一种氧化物电阻存储器件及其制备方法
成果名称: | 一种氧化物电阻存储器件及其制备方法 | 关键字: | 氧化物 , 氧化 , 薄膜 , 电阻 , tin , tio2 , 空位 , 存储器 , zno , pt | 应用行业: | 电气机械和器材制造业 |
高新技术领域: | 先进制造技术 | 所在地: | 北京市 | 知识产权类型: | 发明专利 |
知识产权编号: | CN201110024075.X | 成果体现形式: | 成果属性: | ||
成果所处阶段: | 授权 | 成果水平: | 国内先进 | 研究形式: | |
学科分类: | 战略新兴产业: | 高端装备制造 | 课题来源: | ||
第一完成单位名称: | 北京大学 | 第一完成单位属性: | 技术成熟度: | ||
合作方式: | 专利许可 | 交易价格(万): | 40.00 | 所属十强产业: |
本发明公开了一种氧化物电阻存储器件,包括衬底,位于所述衬底上的底电极,位于所述底电极上的氧化物控制层,位于所述氧化物控制层上的氧化物阻变层,以及位于所述氧化物阻变层上的顶电极。该器件制备工艺简单、性能可靠,提高了氧化物阻变存储器的阻变的循环耐久力,增强了其数据保持特性。
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苏博晖
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