本发明公开了一种激光辅助原位巨量转移方法及系统，主要包括以下内容：利用红外激光波长较长，在保证激光能量密度的前提下激光光斑半径较大的特点对生长有Micro‑LED芯片的GaN/蓝宝石衬底利用激光振镜进行扫描，将Micro‑LED芯片从该衬底上剥离转移至临时转移结构上；利用超短脉冲激光的“冷加工”效应及多脉冲作用的能量累计原理对临时转移结构，利用激光振镜进行逐点快速扫描，实现将Micro‑LED芯片对目标基板的高速定点巨量转移；采用半反射镜将两种激光引入同一条激光加工光路中，在未被利用激光出光口处设置激光扩束装置。本发明通过采用双激光束扫描、脉冲激光逐点扫描进行Micro‑LED芯片巨量转移，转移速率高且良品率得到保证。