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基于硅通孔的神经元功能电路单元

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成果名称: 基于硅通孔的神经元功能电路单元 关键字: 衬底 , 神经 , 神经元 , 晶体管 , 集成 , 电路 , 晶体 , 掺杂 , 三维 , 互连 应用行业: 计算机、通信和其他电子设备制造业
高新技术领域: 先进制造技术 所在地: 北京市 知识产权类型: 发明专利
知识产权编号: CN201810454322.1 成果体现形式: 成果属性:
成果所处阶段: 授权 成果水平: 国内先进 研究形式:
学科分类: 战略新兴产业: 高端装备制造 课题来源:
第一完成单位名称: 北京信息科技大学 第一完成单位属性: 技术成熟度:
合作方式: 专利许可 交易价格(万): 1.00 所属十强产业:

本发明涉及一种基于硅通孔的神经元功能电路单元,该单元包括衬底、硅通孔、晶体管和互连,硅通孔中金属、二氧化硅和N型重掺杂层组成的电容与晶体管连接构成浮栅结构。本发明提供的单元利用浮栅的原理,其功能是将若干个输入电压信号的加权和与阈值相比较得到一个二值化输出,以构成神经形态计算的基础电路单元。同时,本发明采用成熟的工艺技术实现,使得单元极易加工,避免了制造的困难,同时,浮栅结构的工作原理是基于电荷求和而不是电流求和,有效降低功耗。

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