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一种半桥模块和封装方法
成果名称: | 一种半桥模块和封装方法 | 关键字: | 端子 , 汇集 , 碳化硅 , 区域 , 栅极 , 碳化 , 芯片 , 功率 , 辅助 , 陶瓷 | 应用行业: | 制造业 |
高新技术领域: | 先进制造技术 | 所在地: | 北京市 | 知识产权类型: | 发明专利 |
知识产权编号: | CN201710671883.2 | 成果体现形式: | 成果属性: | ||
成果所处阶段: | 授权 | 成果水平: | 国内先进 | 研究形式: | |
学科分类: | 战略新兴产业: | 高端装备制造 | 课题来源: | ||
第一完成单位名称: | 华北电力大学 | 第一完成单位属性: | 技术成熟度: | ||
合作方式: | 专利许可 | 交易价格(万): | 10.00 | 所属十强产业: |
本发明公开一种半桥模块和封装方法。所述半桥模块是以两个芯片为子单元的并联分组布设,所述半桥模块包括上半桥模块和下半桥模块;上半桥模块包括多个两芯片直接并联的上半桥子单元、一个辅助源极驱动信号端子、一个栅极驱动信号端子、一个漏极功率端子和一个源极功率端子,下半桥模块包括多个两芯片直接并联的下半桥子单元、一个辅助源极驱动信号端子、一个栅极驱动信号端子、一个漏极功率信号端子和一个源极功率信号端子,下半桥的漏极功率端子与上半桥的源极功率端子电气上是互连的。功率信号端子以及驱动信号端子的结构均为二叉树状结构。采用本发明的半桥模块或封装方法,可以降低电路杂散电感的分布差异,实现较好的碳化硅芯片的均流特性。
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