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一种半桥模块和封装方法

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成果名称: 一种半桥模块和封装方法 关键字: 端子 , 汇集 , 碳化硅 , 区域 , 栅极 , 碳化 , 芯片 , 功率 , 辅助 , 陶瓷 应用行业: 制造业
高新技术领域: 先进制造技术 所在地: 北京市 知识产权类型: 发明专利
知识产权编号: CN201710671883.2 成果体现形式: 成果属性:
成果所处阶段: 授权 成果水平: 国内先进 研究形式:
学科分类: 战略新兴产业: 高端装备制造 课题来源:
第一完成单位名称: 华北电力大学 第一完成单位属性: 技术成熟度:
合作方式: 专利许可 交易价格(万): 10.00 所属十强产业:

本发明公开一种半桥模块和封装方法。所述半桥模块是以两个芯片为子单元的并联分组布设,所述半桥模块包括上半桥模块和下半桥模块;上半桥模块包括多个两芯片直接并联的上半桥子单元、一个辅助源极驱动信号端子、一个栅极驱动信号端子、一个漏极功率端子和一个源极功率端子,下半桥模块包括多个两芯片直接并联的下半桥子单元、一个辅助源极驱动信号端子、一个栅极驱动信号端子、一个漏极功率信号端子和一个源极功率信号端子,下半桥的漏极功率端子与上半桥的源极功率端子电气上是互连的。功率信号端子以及驱动信号端子的结构均为二叉树状结构。采用本发明的半桥模块或封装方法,可以降低电路杂散电感的分布差异,实现较好的碳化硅芯片的均流特性。

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