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基于忆阻器和晶体管的存储器及实现多阻态的方法

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成果名称：	基于忆阻器和晶体管的存储器及实现多阻态的方法	关键字：	晶体管 , 器件 , 晶体 , 迁移率 , 电极 , mos , 迁移 , reset , set , 存储	应用行业：	制造业
高新技术领域：	先进制造技术	所在地：	北京市	知识产权类型：	发明专利
知识产权编号：	CN201210195545.3	成果体现形式：		成果属性：
成果所处阶段：	授权	成果水平：	国内先进	研究形式：
学科分类：		战略新兴产业：	高端装备制造	课题来源：
第一完成单位名称：	北京大学	第一完成单位属性：		技术成熟度：
合作方式：	专利许可	交易价格(万)：	40.00	所属十强产业：

本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种基于忆阻器和晶体管的存储器，包括串联的高迁移率晶体管和忆阻器，所述高迁移率晶体管是以锗或者III-V族材料作为衬底和沟道材料的MOS晶体管。本发明还提供了一种利用该存储器实现多阻态的方法。本发明通过高迁移率MOS晶体管和忆阻器串联方式，解决了常规MOS晶体管的驱动电流与多阻态存储器开态电流不匹配的问题，同时，利用高迁移率MOS晶体管的大驱动电流能力优势可以获得不同的器件阻态，从而增加数据存储密度，获得较快的存储器件工作速度。