本发明公开了一种相变存储器的写操作方法，包括：S1：将要写回PCM存储单元中的待写数据块作预处理，得到预处理后的数据块；S2：从PCM的存储单元中读取与所述待写数据块对应的原始数据块；S3：计算待写数据块或所述预处理后的数据块与所述原始数据块之间的汉明距离，并选取与所述原始数据块汉明距离最小值对应的数据块写回原始数据块的存储单元，并将所述预处理标志写回所述存储单元中。本发明的方法减小了对PCM存储单元的写操作次数，从延长了PCM的使用寿命。