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用作太阳能电池吸收层的稀土半导体化合物及其制备方法

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成果名称：	用作太阳能电池吸收层的稀土半导体化合物及其制备方法	关键字：	太阳 , cigs , 太阳能电池 , 电池 , 太阳能 , 稀土 , 薄膜 , 吸收 , in , cu	应用行业：	制造业
高新技术领域：	先进制造技术	所在地：	北京市	知识产权类型：	发明专利
知识产权编号：	CN201310009479.0	成果体现形式：		成果属性：
成果所处阶段：	授权	成果水平：	国内先进	研究形式：
学科分类：		战略新兴产业：	高端装备制造	课题来源：
第一完成单位名称：	华北电力大学	第一完成单位属性：		技术成熟度：
合作方式：	专利许可	交易价格(万)：	7.00	所属十强产业：

本发明公开了一种用作太阳能电池吸收层的稀土半导体化合物及其制备方法，属于薄膜太阳能电池技术领域。本发明提出的用作太阳能电池吸收层的稀土半导体化合物是CuIn1-xRxTe2四元化合物；x=0~0.8。首先按照化学计量比称量Cu、In、R、Te四种元素的单质，然后使用非自耗真空电弧炉在惰性气体保护下反复熔炼Cu和In单质，得到成分均匀的Cu-In合金；再用高温真空固态反应将Cu-In合金、R和Te在马弗炉中处理；将获得的产物经冷却、球磨、烘干和分离提纯后即得到用作太阳能电池吸收层的稀土半导体化合物。该化合物提高了光电池的光电转化效率，降低了成本；本发明提供的方法操作简单，生产效率高。