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石墨烯太赫兹发射器及其制作方法
成果名称: | 石墨烯太赫兹发射器及其制作方法 | 关键字: | 石墨烯 , 石墨 , 赫兹 , 电极 , 纳米 , 发射器 , 光刻 , 发射 , 基底 , 绝缘层 | 应用行业: | 制造业 |
高新技术领域: | 先进制造技术 | 所在地: | 北京市 | 知识产权类型: | 发明专利 |
知识产权编号: | CN201510767570.8 | 成果体现形式: | 成果属性: | ||
成果所处阶段: | 授权 | 成果水平: | 国内先进 | 研究形式: | |
学科分类: | 战略新兴产业: | 高端装备制造 | 课题来源: | ||
第一完成单位名称: | 清华大学 | 第一完成单位属性: | 技术成熟度: | ||
合作方式: | 专利许可 | 交易价格(万): | 20.00 | 所属十强产业: |
本发明提供一种石墨烯太赫兹发射器及其制作方法,包括:基底以及依次设置在基底上的石墨烯纳米带、第一电极、绝缘层和第二电极;所述石墨烯纳米带位于所述基底上;所述第一电极位于所述石墨烯纳米带部分区域上;所述绝缘层位于所述石墨烯纳米带及所述第一电极上;所述第二电极位于与所述石墨烯纳米带对应的绝缘层之上;所述石墨烯纳米带的中部宽度大于两边的宽度。本发明有效地提高了太赫兹的发射效率,同时缩小设备体积,可在常温条件下生成太赫兹波。
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苏博晖
15614431192
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