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石墨烯太赫兹发射器及其制作方法

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成果名称: 石墨烯太赫兹发射器及其制作方法 关键字: 石墨烯 , 石墨 , 赫兹 , 电极 , 纳米 , 发射器 , 光刻 , 发射 , 基底 , 绝缘层 应用行业: 制造业
高新技术领域: 先进制造技术 所在地: 北京市 知识产权类型: 发明专利
知识产权编号: CN201510767570.8 成果体现形式: 成果属性:
成果所处阶段: 授权 成果水平: 国内先进 研究形式:
学科分类: 战略新兴产业: 高端装备制造 课题来源:
第一完成单位名称: 清华大学 第一完成单位属性: 技术成熟度:
合作方式: 专利许可 交易价格(万): 20.00 所属十强产业:

本发明提供一种石墨烯太赫兹发射器及其制作方法,包括:基底以及依次设置在基底上的石墨烯纳米带、第一电极、绝缘层和第二电极;所述石墨烯纳米带位于所述基底上;所述第一电极位于所述石墨烯纳米带部分区域上;所述绝缘层位于所述石墨烯纳米带及所述第一电极上;所述第二电极位于与所述石墨烯纳米带对应的绝缘层之上;所述石墨烯纳米带的中部宽度大于两边的宽度。本发明有效地提高了太赫兹的发射效率,同时缩小设备体积,可在常温条件下生成太赫兹波。

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