本发明公开一种射频侧向扩散金属氧化物半导体器件及制备方法，为解决现有结构中源区和漏区接触电阻较大的缺陷而设计。本发明射频侧向扩散金属氧化物半导体器件在源区和高掺杂低阻区之间或在漏区上设有硅化物层。在沿栅电极至漏区的方向上包括2层或3层的法拉第屏蔽结构层与侧向扩散区上表面的距离增加。一种射频侧向扩散金属氧化物半导体器件制备方法，淀积法拉第屏蔽结构层的同时淀积了连接源区和高掺杂低阻区的金属层和/或漏区金属层，退火后形成金属硅化物。本发明射频侧向扩散金属氧化物半导体器件降低了源区和/或漏区电阻，降低了器件的栅源电容。本发明射频侧向扩散金属氧化物半导体器件制备方法提高了性能，简化了工艺。