本实用新型公开了一种车用半导体非易失性存储器结构，包括：半导体衬底，所述半导体衬底上形成有间隔设置的源区和漏区，所述源区和所述漏区之间为沟道区；绝缘层，覆盖所述沟道区，并至少覆盖靠近所述沟道区的所述源区和漏区的边缘；浮栅，设置于所述绝缘层中，位于所述沟道区上方；控制栅，设置于所述绝缘层中，位于所浮栅上方，所述控制栅和所述浮栅相互隔离；缺陷改善层，设置于所述绝缘层中，位于所述浮栅的下方或上方或所述浮栅的上下两侧。本实用新型通过在浮栅的下方或上方或所述浮栅的上下两侧形成缺陷改善层，以改善由于绝缘层的缺陷引起的数据保持特性的劣化问题。