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一种避免误读的阻变存储器及其制备方法
成果名称: | 一种避免误读的阻变存储器及其制备方法 | 关键字: | 应用行业: | 请选择... | |
高新技术领域: | 请选择... | 所在地: | 知识产权类型: | 发明专利 | |
知识产权编号: | ZL201510228635 | 成果体现形式: | 成果属性: | ||
成果所处阶段: | 成果水平: | 请选择... | 研究形式: | ||
学科分类: | 战略新兴产业: | 请选择... | 课题来源: | ||
第一完成单位名称: | 河北大学 | 第一完成单位属性: | 技术成熟度: | ||
合作方式: | 请选择... | 交易价格(万): | 5.00 | 所属十强产业: |
本发明提供了一种避免误读的阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器的结构是在Pt/Ti/SiO2/Si衬底的Pt膜层上依次形成有阻变介质层和Ag电极膜层;所述阻变介质层包括依次所形成的第一层铁酸铋膜层、第二层铁酸铋掺银膜层及第三层铁酸铋膜层。本发明所提供的阻变存储器,呈现出较为稳定的阻值变化,高、低阻态阻值分布非常集中,且高电阻值和低电阻值之间相差较大,因此不容易造成高、低阻值混淆,在数据读取时候不容易造成误读。该阻变存储器具有显著的开关效应,非常有利于存储器的读出。再有,该阻变存储器在高阻态和低阻态下的抗疲劳特性均比较优异。
联系方式
王先生
15531235602
shengxunkeji2000@sina.com
河北省保定市
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