本发明公开了一种无硒气氛制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的方法。包括以下步骤：a.阻挡层的制备；b.背电极层制备；c.铜铟镓硒吸收层制备：在溅射铜铟镓硒吸收层的过程中通入氢气，或者在铜铟镓硒吸收层溅射完成后，低功率溅射铜铟镓硒靶材1‑5min，同时通入氢气；d.缓冲层的制备；e.高阻层的制备；f.窗口层的制备。本发明工艺简单且一致性好，同时制备的吸收层缺陷密度较小，跟前后背接触优异，能够制备获得高效率电池，具有广泛的应用前景。