成果名称：	一种电荷俘获存储器及其制备方法	关键字：		应用行业：
高新技术领域：		所在地：		知识产权类型：	发明专利
知识产权编号：	ZL201510264942	成果体现形式：		成果属性：
成果所处阶段：		成果水平：	国内先进	研究形式：
学科分类：		战略新兴产业：		课题来源：
第一完成单位名称：	河北大学	第一完成单位属性：		技术成熟度：
合作方式：	专利许可	交易价格(万)：	6.00	所属十强产业：

本发明提供了一种电荷俘获存储器及其制备方法。所述电荷俘获存储器的结构由下至上依次是p-Si衬底、SiO2遂穿层、Zr0.5Hf0.5O2膜层和电极膜层；所述电极膜层为Au或Pt电极膜层；所述Zr0.5Hf0.5O2膜层是在p-Si衬底上通过磁控溅射所制成，所述SiO2遂穿层是在形成所述Zr0.5Hf0.5O2膜层后通过退火工艺而形成，所述电极膜层是在所述Zr0.5Hf0.5O2膜层上通过真空蒸镀而形成。本发明通过控制退火温度和退火时间，可得到厚度适中的SiO2遂穿层，合适厚度的SiO2遂穿层和Zr0.5Hf0.5O2膜层中的氧空位对器件有很大的影响，可使器件表现出良好的存储特性和保持特性。