本发明公开了一种基于SiO2神经仿生层的神经仿生器件，包括Ag衬底、在Ag衬底上依次形成的神经仿生层和Ag电极层；神经仿生层从下而上依次包括：第一SiO2膜层、Ag膜中间层、第二SiO2膜层。同时，本发明还公开了该神经仿生器件的制备方法。本发明所制备的器件的两端分别作为两个输入端，分别为突触前刺激和突触后刺激，能根据突触前刺激和突触后刺激的时间差而改变电阻，能够模仿生物突触的特性，在施加不同电脉冲的刺激下改变其电阻的阻值，其高低阻态会发生缓慢变化，且范围稳定；出现多个稳定阻态并具有良好的保持特性，在重复施加电脉冲刺激的情况下，能够记住改变的状态，高低阻转化的重复性高，是一种性能更为稳定、应用前景更为广阔的神经仿生器件。