成果名称：	一种p‑i‑n型硒化锑太阳电池	关键字：		应用行业：
高新技术领域：		所在地：		知识产权类型：	发明专利
知识产权编号：	ZL201710140918	成果体现形式：		成果属性：
成果所处阶段：		成果水平：	国内先进	研究形式：
学科分类：		战略新兴产业：		课题来源：
第一完成单位名称：	河北大学	第一完成单位属性：		技术成熟度：
合作方式：	专利许可	交易价格(万)：	16.00	所属十强产业：

本发明公开了一种p‑i‑n型硒化锑薄膜太阳电池，该太阳电池从上到下主要的结构依次为：顶电极层、p型硒化锑半导体层、本征半导体i型层、n型硒化锑半导体层以及底电极层。本发明提供的太阳电池的结构可以减少pn界面的晶格失配度，减少因界面缺陷密度高带来的高复合率；同时在同质硒化锑pn结中插入本征半导体i型层，能够使内建场在本征半导体i型层扩展，利于实现光生载流子电荷的分离，增大了光生载流子的收集效率，从而提高了太阳电池的性能，其制备工艺简单，适于工业化生产及应用。