成果名称：	一种空穴传输层的制备方法及晶硅太阳电池	关键字：		应用行业：
高新技术领域：		所在地：		知识产权类型：	发明专利
知识产权编号：	ZL202110671836	成果体现形式：		成果属性：
成果所处阶段：		成果水平：	国内先进	研究形式：
学科分类：		战略新兴产业：		课题来源：
第一完成单位名称：	河北大学	第一完成单位属性：		技术成熟度：
合作方式：	专利许可	交易价格(万)：	10.00	所属十强产业：

本发明涉及一种空穴传输层的制备方法及晶硅太阳电池。所述制备方法是在晶硅基底表面生长氧化硅层，然后在氧化硅层的表面原位沉积石墨烯薄膜，随后在石墨烯薄膜的表面涂覆Nafion溶液，经退火处理后，在石墨烯薄膜上形成混合了Nafion薄膜的石墨烯混合薄膜，最后刻蚀处理掉石墨烯混合薄膜表面的Nafion薄膜，使石墨烯薄膜露出，即得空穴传输层。本发明在晶硅基底上直接原位沉积石墨烯薄膜，无需金属催化衬底，避免传统转移方式对石墨烯薄膜造成的损害及缺陷杂质的引入。本发明采用旋涂法和等离子技术法制备石墨烯混合薄膜，实现石墨烯薄膜的化学掺杂，提升混合薄膜功函数的同时保证了薄膜的导电性，有利于石墨烯混合薄膜空穴传输层晶硅太阳电池光电转换效率的提升。