成果名称：	多层薄膜钝化接触结构的制备方法及全钝化接触晶硅太阳电池	关键字：		应用行业：
高新技术领域：		所在地：		知识产权类型：	发明专利
知识产权编号：	ZL202110671811	成果体现形式：		成果属性：
成果所处阶段：		成果水平：	国内领先	研究形式：
学科分类：		战略新兴产业：		课题来源：
第一完成单位名称：	河北大学	第一完成单位属性：		技术成熟度：
合作方式：	专利转让	交易价格(万)：	3.00	所属十强产业：

本发明涉及一种多层薄膜钝化接触结构的制备方法及全钝化接触晶硅太阳电池。所述制备方法是在晶硅基底表面生长一层氧化硅层，再在氧化硅层表面沉积一层无掺杂初始晶硅氧化物薄膜，随后再沉积一层重掺杂初始晶硅氧化物薄膜，最后经高温退火再结晶，形成包含隧穿氧化层/多晶硅氧化物薄膜的多层薄膜钝化接触结构。本发明作为晶硅电池的正面钝化接触，保证了晶硅基底的光学吸收，提高电池的光学响应。本发明具有更高的热稳定性，在高温退火过程中，硅氧化物薄膜保护了介质层结构，增强了氧化驱动的钝化效果；硅氧化物薄膜阻挡了掺杂原子的进一步扩散，保持了重掺杂所带来的高能带弯曲，拓宽了高温退火过程的退火工艺窗口。