成果名称：	一种基于石墨烯氧化物量子点的低功耗电荷俘获型存储器及其制备方法	关键字：		应用行业：
高新技术领域：		所在地：		知识产权类型：	发明专利
知识产权编号：	ZL201710777020	成果体现形式：		成果属性：
成果所处阶段：		成果水平：	国内先进	研究形式：
学科分类：		战略新兴产业：		课题来源：
第一完成单位名称：	河北大学	第一完成单位属性：		技术成熟度：
合作方式：	专利许可	交易价格(万)：	8.00	所属十强产业：

本发明提供了一种基于氧化石墨烯量子点的低功耗电荷俘获型存储器及其制备方法，其结构依次由Si衬底、SiO2隧穿层、GQODs/Zr0.5Hf0.5O2俘获层、SiO2阻挡层、Pd顶电极构成；其制备方法：Si衬底进行清洗腐蚀做衬底，高温退火生长SiO2隧穿层，用SC‑1B匀胶机均匀地甩一层GQODs在隧穿层SiO2上，通过磁控溅射溅射的方法在已有的结构上镀俘获层、阻挡层和电极膜层。此存储器相对一般电荷俘获型存储器来说具有较低的操作电压、抗疲劳性好、数据保存持久、存储窗口大、电荷泄漏小、低功耗和低成本等优点，非常适合应用在电子设备上，有一定的市场应用价值。