成果名称：	一种P‑I‑N发电层结构及其制备方法以及透光太阳能电池及其制备方法	关键字：		应用行业：
高新技术领域：		所在地：		知识产权类型：	发明专利
知识产权编号：	ZL201610627448	成果体现形式：		成果属性：
成果所处阶段：		成果水平：	国内先进	研究形式：
学科分类：		战略新兴产业：		课题来源：
第一完成单位名称：	河北大学	第一完成单位属性：		技术成熟度：
合作方式：	专利许可	交易价格(万)：	4.00	所属十强产业：

本发明涉及一种P‑I‑N发电层结构及其制备方法以及透光太阳能电池及其制备方法。本发明P‑I‑N发电层结构中的P型掺杂层、I层本征吸收层和N型掺杂层均采用纳米SiOx薄膜材料制成，这种材料具有高的电导率、较高的光敏性和吸收系数，通过调节沉积参数可以实现薄膜材料带隙与光电特性的调制，得到宽带隙材料电池；同时薄膜材料中氧键的引入，有助于提高电池在接近实际使用温度下的光电转换性能，用其制成透光太阳能电池，具有很好的稳定性，透光率可达20%~40%，光电转换效率可达5%~7%，光致衰减则小于6%。本发明透光太阳能电池可广泛应用于光伏建筑一体化、光伏透光窗口及阳光大棚上。