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一种嵌入式电荷俘获型存储器及其制备方法

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成果名称: 一种嵌入式电荷俘获型存储器及其制备方法 关键字: 应用行业:
高新技术领域: 所在地: 知识产权类型: 发明专利
知识产权编号: ZL201710777037 成果体现形式: 成果属性:
成果所处阶段: 成果水平: 国内先进 研究形式:
学科分类: 战略新兴产业: 课题来源:
第一完成单位名称: 河北大学 第一完成单位属性: 技术成熟度:
合作方式: 专利许可 交易价格(万): 18.00 所属十强产业:
本发明提供了一种嵌入式电荷俘获型存储器及其制备方法,其是在Si衬底上依次形成有SiO2隧穿层、GQODs/Zr0.5Hf0.5O2俘获&&阻挡层、Pd电极膜层;所述GQODs/Zr0.5Hf0.5O2俘获&&阻挡层中GQODs为单层氧化石墨烯量子点层。其制备方法是:Si衬底进行超声清洗,高温退火生长隧穿层,用离心机甩一层GQODs,在已有的结构上用磁控溅射的方法镀俘获层和电极膜层。此嵌入式电荷俘获型存储器相对一般电荷俘获型存储器来说具有结构简单、抗疲劳性好、数据保存持久、存储窗口大、低成本等优点,对以后的电子市场有一定应用前景。
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