成果名称：	一种避免误读的阻变存储器及制备方法	关键字：		应用行业：
高新技术领域：		所在地：		知识产权类型：	发明专利
知识产权编号：	ZL201710777096	成果体现形式：		成果属性：
成果所处阶段：		成果水平：	国内先进	研究形式：
学科分类：		战略新兴产业：		课题来源：
第一完成单位名称：	河北大学	第一完成单位属性：		技术成熟度：
合作方式：	专利许可	交易价格(万)：	14.00	所属十强产业：

本发明公开了一种避免误读的阻变存储器，其结构从下到上依次包括衬底、在所底上形成的阻变介质层以及在阻变介质层上形成的Ag电极层；阻变介质层从下到上依次包括第一锆铪氧膜层、石墨烯氧化物量子点中间层以及第二锆铪氧膜层；还公开了该阻变存储器的制备方法。本发明制备了特定结构的阻变存储器，尤其是将石墨烯氧化物量子点中间层嵌入到阻变材料层的第一锆铪氧膜层和第二锆铪氧膜层之间，这可精确控制导电细丝的生长和破裂来提高器件的均一性，使得最终制备的阻变存储器具有更稳定的阻值变化、更低的功耗、更好的稳定性和均一性，而且制备方法简单，操作性好，易于大规模生产制造，具有广阔的应用前景。