本发明公开了一种基于单层钛酸锶钡（BST）薄膜的电荷俘获型存储器，其结构由下而上依次是P型Si衬底、SiO2隧穿层、钛酸锶钡俘获阻挡层以及Pd电极层。同时，还公开了该存储器的制备方法，将P型Si衬底洗净吹干，通过磁控溅射的方法在Si衬底上形成钛酸锶钡俘获阻挡层，通过特定的退火工艺在P型Si衬底和钛酸锶钡俘获阻挡层之间形成了SiO2隧穿层，再通过磁控溅射的方法在钛酸锶钡俘获阻挡层上形成了Pd电极层。本发明通过特定材料和方法制备了p‑Si衬底/SiO2隧穿层/钛酸锶钡俘获阻挡层/Pd电极层复合结构的电荷俘获型存储器。通过检测表明，本发明提供的存储器与现有同类型的存储器相比，其存储窗口更大、数据保持性更好，是一种抗疲劳、写入/擦除速率快、应用前景更为广阔的存储器。