成果名称：	一种柔性阻变存储器及其制备方法	关键字：		应用行业：
高新技术领域：		所在地：		知识产权类型：	发明专利
知识产权编号：	ZL201611209270	成果体现形式：		成果属性：
成果所处阶段：		成果水平：	国内先进	研究形式：
学科分类：		战略新兴产业：		课题来源：
第一完成单位名称：	河北大学	第一完成单位属性：		技术成熟度：
合作方式：	专利许可	交易价格(万)：	10.00	所属十强产业：

本发明公开了一种柔性阻变存储器，其结构从下到上依次为：云母柔性衬底、InGaZnO底电极膜层、ZrHfO介质膜层和TiN顶电极膜层。还公开该阻变存储器的制备方法：以一定厚度的云母材料作为柔性衬底，通过磁控溅射的方法在柔性衬底上依次形成InGaZnO底电极膜层、ZrHfO介质膜层和TiN顶电极膜层。本发明提供的柔性阻变存储器具有结构简单、衬底新颖独特、体积小、易弯曲、读写快、耐高温、耐腐蚀、抗弯曲性强等良好性能，是一种存储性能稳定、成本低、密度高、操作速度快、功耗低、抗疲劳性强、应用前景广阔的柔性阻变存储器，适于在各种电子设备中推广使用。