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一种铌酸银基无铅反铁电储能薄膜及其制备方法

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成果简介
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成果名称：	一种铌酸银基无铅反铁电储能薄膜及其制备方法	关键字：		应用行业：	制造业
高新技术领域：	绿色化工技术	所在地：	河北省	知识产权类型：	发明专利
知识产权编号：	ZL202010208104	成果体现形式：		成果属性：
成果所处阶段：	授权	成果水平：	国内先进	研究形式：
学科分类：		战略新兴产业：	高端装备制造	课题来源：
第一完成单位名称：	河北大学	第一完成单位属性：		技术成熟度：
合作方式：	技术转让	交易价格(万)：	7.00	所属十强产业：

本发明提供了一种铌酸银基无铅反铁电储能薄膜及其制备方法，采用磁控溅射法在基片上外延生长一层La0.5Sr0.5CoO3薄膜底电极，然后采用脉冲激光沉积法在所述La0.5Sr0.5CoO3薄膜底电极上外延生长一层AgNbO3薄膜，之后在所述AgNbO3薄膜上生长一层La0.5Sr0.5CoO3薄膜上电极，最后在La0.5Sr0.5CoO3薄膜上电极上制备一层金属膜电极；其中，所述AgNbO3薄膜的厚度为100~800nm。本发明采用脉冲激光沉积技术使ANO薄膜外延生长在LSCO底电极上，相比于ANO块材，ANO外延薄膜的介电击穿强度和储能密度得到显著提高。同时极大的减小了ANO的使用成本以及占用空间，使其在大规模集成电路中有广泛的应用潜力。