成果名称：	一种铌酸银基无铅反铁电储能薄膜及其制备方法	关键字：		应用行业：
高新技术领域：		所在地：		知识产权类型：	发明专利
知识产权编号：	ZL202010208104	成果体现形式：		成果属性：
成果所处阶段：		成果水平：	国内领先	研究形式：
学科分类：		战略新兴产业：		课题来源：
第一完成单位名称：	河北大学	第一完成单位属性：		技术成熟度：
合作方式：	专利转让	交易价格(万)：	7.00	所属十强产业：

本发明提供了一种铌酸银基无铅反铁电储能薄膜及其制备方法，采用磁控溅射法在基片上外延生长一层La0.5Sr0.5CoO3薄膜底电极，然后采用脉冲激光沉积法在所述La0.5Sr0.5CoO3薄膜底电极上外延生长一层AgNbO3薄膜，之后在所述AgNbO3薄膜上生长一层La0.5Sr0.5CoO3薄膜上电极，最后在La0.5Sr0.5CoO3薄膜上电极上制备一层金属膜电极；其中，所述AgNbO3薄膜的厚度为100~800nm。本发明采用脉冲激光沉积技术使ANO薄膜外延生长在LSCO底电极上，相比于ANO块材，ANO外延薄膜的介电击穿强度和储能密度得到显著提高。同时极大的减小了ANO的使用成本以及占用空间，使其在大规模集成电路中有广泛的应用潜力。