成果名称：	一种超薄晶体硅双面太阳能电池的制备方法	关键字：		应用行业：
高新技术领域：		所在地：		知识产权类型：	发明专利
知识产权编号：	ZL201910048730	成果体现形式：		成果属性：
成果所处阶段：		成果水平：	国内先进	研究形式：
学科分类：		战略新兴产业：		课题来源：
第一完成单位名称：	河北大学	第一完成单位属性：		技术成熟度：
合作方式：	专利许可	交易价格(万)：	12.00	所属十强产业：

本发明提供了一种超薄晶体硅双面太阳能电池的制备方法。本发明首先采用HF、H2O2和添加剂的混合溶液使多晶硅基片在18～25℃下经2000～2300s减薄至90‑120μm，减薄过程中在基片表面形成了绒面结构；后采用辊式扩散制备PN结，并采用超声雾化磷酸的方法，无毒无污染，且扩散结均匀；接着在基片正反面均设置氮化硅减反层；最后通过丝网印刷烧结工艺在正反面均形成插指状电极。本发明适合90‑120μm厚多晶硅生产技术路线，相比传统的180μm厚的多晶硅电池，可在保证碎片率的前提下减小电池厚度，还能保证电池效率，工艺简单，成本低；而且本发明还解决了薄电池弯曲易碎的问题，经实验验证完全可以实现产业化。